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HM5808 数据表(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

部件名 HM5808
功能描述  Mobile power single chip solution
PDF  7 Pages
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制造商  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
网页  http://www.hmsemi.com/
标志 HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5808 数据表(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

  HM5808 Datasheet HTML 1Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 2Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 3Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 4Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 5Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 6Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd HM5808 Datasheet HTML 7Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd  
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Ver.1.2
符号
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
充电部分（无特殊说明， VCC=5V，Ta=25℃）
VCC
充电输入电压
4.4
5
5.5
V
IVCC
输入电源电流
待机模式（充电终止）
-
600
-
μA
VFLOAT
稳定输出（浮充）电压
0℃≤TA≤85℃
4.158
4.2
4.242
V
IBAT
恒流充电电流
VBAT=3.7V
-
700
-
mA
ITRIKL
涓流充电电流
VBAT<VTRIKL，
60
70
80
mA
VTRIKL
涓流充电阈值电压
VBAT上升
2.9
3
3.1
V
VTRHYS
涓流充电迟滞电压
-
100
-
mV
VUV
VCC欠压闭锁阈值电压
VCC从低至高
2.8
2.9
3
V
VUVHYS
VCC欠压闭锁迟滞
0.25
0.3
0.35
V
VASD
VCC-VBAT闭锁阈值电压
VCC从低到高
60
100
140
mV
VCC从高到低
5
30
50
ITERM
终止电流门限
-
70
-
mA
ΔVRECHRG
再充电电池门限电压
VFLOAT-VRECHRG
100
150
200
mV
TLIM
限定温度模式中的结温
-
100
-
℃
RON
功率FET导通电阻
-
670
-
mΩ
放电部分（无特殊说明， VBAT=3.7V，Ta=25℃）
VBAT
电池工作电压
2.9
4.35
V
VOUT
额定输出电压
VBAT=3.7
4.8
5
5.2
ISTDB
待机电流
-
50
-
uA
VUV_BAT
电池欠压闭锁阈值电压
VBAT下降
2.85
2.9
2.95
V
VHYS_BAT
电池欠压闭锁迟滞
VBAT上升
0.25
0.3
0.35
V
FSW
工作频率
-
1
-
MHz
IOUT
输出电流
VBAT=2.9~4.2V
VOUT=5V
-
1
-
A
ILIM
周期电流限制
-
2
-
A
η
转换效率
VBAT=4.2V
VOUT=5.0V&IOUT=1A
91
-
-
%
DMAX
最大占空比
-
85
-
%
IEND
放电结束电流
-
20
-
mA
TOV
过温保护
-
150
-
℃
THYS
过温保护滞回
-
20
-
℃
VRIPPLE
输出纹波电压
VOUT=5.0V&IOUT=1A
-
100
-
mV
TSHUT
输出无负载关闭检测时间
-
16
-
S
VSHORT
短路保护电压
-
4.3
-
V
IKEY
KEY引脚上拉电流
30
uA
 
 
HM5808
移动电源单芯片解决方案



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