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YFW4N60A3-R 数据表(PDF) 3 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
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YFW4N60A3-R 数据表(HTML) 3 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
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3 / 7 page ![]() N-CHANNEL MOSFET 4N60A 3 / 7 www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd. 源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明,TC=25°C) 参数名称 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 MOS管中源极、漏极构成的 反偏P-N结 IS - - 4 A 源极脉冲电流 ISM - - 16 A 源-漏二极管压降 ISD = 4 A VSD - - 1.4 V 反向恢复时间 ISD =4 A, VGS = 0 V, dIF / dt = 100 A/μs(注3) trr - 242 - nS 反向恢复电荷 Qrr - 0.97 - uC (注:) 1. L=25mH,IAS=4A, VDD=50V, RG=25Ω, 开始温度 TJ=25 °C 2. 脉冲测试:脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%; 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性区线图 |
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