YFW7N60A3-R datasheet(1/7 Pages) YFWDIODE

部件名	YFW7N60A3-R

功能描述	7A 600V N-channel enhanced field effect transistor

PDF	7 Pages

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制造商	YFWDIODE [DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]

网页	http://www.yfwdiode.com/

标志

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N-CHANNEL MOSFET

7N60A

1 / 7

www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

7A 600V N沟道增强型场效应管

主要参数：

ID

7A

VDSS

600V

RDSON-typ(@VGS=10V)

1.0Ω

性能特点：



开关速度快



低导通电阻



低反向传输电容



低栅极电荷量



100%单脉冲雪崩能量测试



提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装



适用任何位置安装



封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准



加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s



封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-252, TO-251

G.栅极 D.漏极 S.源极

产品规格分类：

产品料号

封装形式

产品印字

包装方式

YFW7N60A1

TO-220AB

7N60AT

50PCS每管

YFW7N60A2

TO-220F(0.5mm)

7N60AF

50PCS每管

YFW7N60A3

TO-263

7N60AS

50PCS每管

YFW7N60A3-R

TO-263

7N60AS

800PCS每盘

YFW7N60A4

TO-251

7N60AMJ

75PCS每管

YFW7N60A5-R

TO-252

7N60AD

2500PCS每盘

类似零件编号 - YFW7N60A3-R

制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	YFW7N65A1	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW7N65A2	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW7N65A3	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW7N65A3-R	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW7N65A4	1Mb / 7P	7A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

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制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	1N60A	788Kb / 5P	1A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	2N60A	760Kb / 5P	2A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	4N60A	1Mb / 7P	4A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	5N60A	1Mb / 7P	5A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	6N60A	1Mb / 7P	6A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	7N80A	938Kb / 6P	7A 800V N-channel enhanced field effect transistor
	10N60A	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	12N60A	885Kb / 5P	12A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	20N60A	833Kb / 6P	20A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	35N60A	851Kb / 5P	35A 600V N-channel enhanced field effect transistor

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