YFW8N60A3-R datasheet(1/6 Pages) YFWDIODE

部件名	YFW8N60A3-R

功能描述	8A 600V N亦잓걪罌욃성?뗥쑛?덂틪嶸

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制造商	YFWDIODE [DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]

网页	http://www.yfwdiode.com/

标志

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N-CHANNEL MOSFET

8N60A

1 / 6

www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

8A 600V N沟道增强型场效应管

主要参数：

ID

8A

VDSS

600V

RDSON-typ(@VGS=10V)

0.85Ω

性能特点：



开关速度快



低导通电阻



低反向传输电容



低栅极电荷量



100%单脉冲雪崩能量测试



提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装



适用任何位置安装



封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准



加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s



封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263

G.栅极 D.漏极 S.源极

产品规格分类：

产品料号

封装形式

产品印字

包装方式

YFW8N60A1

TO-220AB

8N60AT

50PCS每管

YFW8N60A2

TO-220F(0.5mm)

8N60AF

50PCS每管

YFW8N60A3

TO-263

8N60AS

50PCS每管

YFW8N60A3-R

TO-263

8N60AS

800PCS每盘

类似零件编号 - YFW8N60A3-R

制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	YFW8N65A1	997Kb / 7P	8A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW8N65A2	997Kb / 7P	8A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW8N65A3	997Kb / 7P	8A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW8N65A3-R	997Kb / 7P	8A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor
	YFW8N65A4	997Kb / 7P	8A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

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类似说明 - YFW8N60A3-R

制造商	部件名	数据表	功能描述
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Hi-Sincerity Mocroelect...	HST08	130Kb / 4P	TRIAC 600V,8A
SemiHow Co.,Ltd.	HTX8-600	267Kb / 6P	600V 8A TRIAC
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KIA Semiconductor Techn...	KNX4760A	341Kb / 7P	8A 600V N-CHANNEL MOSFET
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