YFW10N50B3-R datasheet(1/6 Pages) YFWDIODE

部件名	YFW10N50B3-R

功能描述	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor

PDF	6 Pages

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制造商	YFWDIODE [DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]

网页	http://www.yfwdiode.com/

标志

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N-CHANNEL MOSFET

10N50B

1 / 6

www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

10A 500V N沟道增强型场效应管

主要参数：

ID

10A

VDSS

500V

RDSON-typ(@VGS=10V)

0.45Ω

性能特点：



开关速度快



低导通电阻



低反向传输电容



低栅极电荷量



100%单脉冲雪崩能量测试



提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装



适用任何位置安装



封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准



加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s



封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263

G.栅极 D.漏极 S.源极

产品规格分类：

产品料号

封装形式

产品印字

包装方式

YFW10N50B2

TO-220F(0.5mm)

10N50BF

50PCS每管

YFW10N50B8

TO-220F(1.3mm)

10N50BF

50PCS每管

YFW10N50B3

TO-263

10N50BS

50PCS每管

YFW10N50B3-R

TO-263

10N50BS

800PCS每盘

YFW10N50B9

TO-220C

10N50BC

50PCS每管

类似零件编号 - YFW10N50B3-R

制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	YFW10N50A2	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N50A3	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N50A3-R	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N50A8	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N50A9	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor

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制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	5N50A	1Mb / 7P	5A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	8N50A	1Mb / 7P	8A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	9N50B	765Kb / 5P	9A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	10N50A	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	13N50A	849Kb / 5P	13A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	16N50A	900Kb / 6P	16A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	20N50A	888Kb / 6P	20A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	25N50A	978Kb / 6P	25A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	28N50A	932Kb / 5P	28A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	45N50A	889Kb / 5P	45A 500V N-channel enhanced field effect transistor

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