YFW10N65B3-R datasheet(2/6 Pages) YFWDIODE

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N-CHANNEL MOSFET

10N65B

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www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称

符号

参数范围

单位

220C

220F

263

漏源电压

VDS

650

栅源电压

VGS

±30

漏极电流-持续（TC=25°C）

-持续（TC=100°C）

漏极脉冲电流(注 1)

IDM

耗散功率（TC=25°C）-

150

-大于25°C每摄氏度减少

1.23

0.38

1.23

W/°C

单脉冲雪崩能量(注 2)

EAS

690

雪崩电流(注 1)

IAR

重复雪崩电压(注 1)

EAR

工作结温范围

150

°C

贮存温度范围

TSTG

-55 to +150

°C

芯片对管壳热阻

RθJC

0.96

3.13

0.96

°C/W

芯片对环境的热阻

RθJA

62.5

°C/W

电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称

测试条件

符号

最小值

典型值

最大值

单位

漏源击穿电压

VGS = 0 V,ID = 250 μA

BVDSS

650

漏源击穿电流

VDS = 650V, VGS = 0 V

IDSS

VDS = 520 V, Tc =125

°C

栅源漏电流

VGS = ± 30 V, VDS = 0 V

IGSS

±100

栅极开启电压

VDS = VGS , ID = 250 μA

VGS(th)

导通电阻

VGS = 10 V, ID = 5 A

RDS(on)

0.8

1.0

正向跨导

VDS = 40 V, ID = 5 A

gfs

9.5

输入电容

VGS = 0 V, VDS = 25 V,

f = 1MHz

Ciss

1692

输出电容

Coss

128

反向传输电容

Crss

开启延迟时间

ID = 10A, VDD = 325 V,

RG= 25Ω(注3,4）

td(ON)

开启上升时间

关断延迟时间

td(OFF)

关断下降时间

栅极电荷量

ID = 10 A, VDD = 520 V,

VGS = 10 V(注3,4）

栅极-源极电荷量

QGS

棚极-漏极电荷量

QGD

YFW10N65B3-R 数据表(PDF) 2 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

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