Rev : 01.06.2014

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特性

玻璃钝化芯片

适用于贴面安装

超薄的封装

外型尺寸和标记

适合于自动化放置

低损耗效率高

高温焊接 终端260 C /10秒

C

机械数据

符合JEDEC DO-219-AB(SMF)的标准

极性:有标记端为负极

包装:符合ELA STD RS-481标准 12mm宽胶带包装

重量:15毫克

：

最大额定参数和电特性

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

在25

环境温度下评级,除非另有说明。 Rating at 25

ambient temperature unless otherwise specified

C

单相、半波、60赫兹，电阻或电感负载。 Single phase,half wave,60 HZ,resistive or inductive load

电容性负载,减免电流20%。

For capacitive load derate current by 20%

型号

Type Number

符号

Symbol

单位

Units

DFR1A

DFR1B

DFR1D

DFR1G

DFR1J

DFR1K

DFR1M

最大重复峰值反向电压

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

最大电压有效值

Maximum RMS Voltage

最大直流阻断电压

Maximum DC Blocking

Voltage

V

RRM

V

RMS

V

DC

V

V

V

A

A

V

50 100 200 400 600 800 1000

50 100 200 400 600 800 1000

35

70 140 280 420 560 700

最大平均整流输出电流 Maximum Average Forward Rectified

I

(AV)

1.0

在 @T =65

的条件下

Current@ T

=65

l

l

C

峰值正向冲击电流8.3毫秒

Peak Forward surge Current,8.3 ms singe

在额定的半弦波叠加条件下

Half Sine-wave superimposed on Rated

负载符合( JEDEC方法) Load (JEDEC method)

I

FSM

25.0

最大瞬时正向电压@ 1.0A

Maximum Lnstantaneous Forward Voltage @1.0A

V

F

1.3

最大直流反向电流@T =25

Maximum DC Reverse

@ T

=25

额定电流阻断电压@ T =25

at Rated DC Blocking

Voltage @ T =125

A

A

C

C

A

C

A

C

I

R

A

5.0

50

快恢复时间(注2) Maximum

reverse

recovery time

(Note 2)

RR

150

nS

典型的结电容(注1)

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C

j

15

pF

操作温度范围

Operating Temperature Range

C

-55 to +150

存储温度范围

Storage Temperature Range

-55 to +150

C

注 (Note): 1 以1MHZ和应用VR=4(V) Measured at 1 MHZ and Applied VR=4.0Volts

2

测试设置

Measured

With

IF=0.5A

IR=1A

Irr=0.25A

标记

MARK

F1

F2

F3

F4

F5

F6

F7

C

250

500

DFR1A THRU DFR1M

Surface Mount Fast Recovery Rectifiers