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2SCR564F3 数据表(PDF) 2 Page - Rohm

部件名 2SCR564F3
功能描述  NPN 4A 80V Middle Power Transistor
PDF  9 Pages
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制造商  ROHM [Rohm]
网页  http://www.rohm.com
标志 ROHM - Rohm

2SCR564F3 数据表(HTML) 2 Page - Rohm

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background image
2SCR564F3
　
　 　
　 　
　 　
　　
　 　
　 　 　 　 　 　 　 　
Datasheet
l
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Values
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
4
A
ICP*1
8
A
Power dissipation
PD*2
1.0
W
PD*3
2.1
W
Junction temperature
Tj
150
℃
Range of storage temperature
Tstg
-55 to +150
℃
l
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Collector-base breakdown
voltage
BVCBO
IC = 100μA
80
-
-
V
Collector-emitter breakdown
voltage
BVCEO
IC = 1mA
80
-
-
V
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
IE = 100μA
6
-
-
V
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 80V
-
-
1
μA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 4V
-
-
1
μA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
*4 IC = 2A, IB = 100mA
-
100
300
mV
DC current gain
hFE*4
VCE = 3V, IC = 500mA
120
-
390
-
Transition frequency
fT
*4
VCE = 10V, IE = -500mA,
f = 100MHz
-
280
-
MHz
Output capacitance
Cob
VCB = 10V, IE = 0A,
f = 1MHz
-
25
-
pF
Turn-On time
ton
IC = 2A,
IB1 = 200mA,
IB2 = -200mA,
VCC ⋍ 10V,
RL = 4.99Ω
See test circuit
-
45
-
ns
Storage time
tstg
-
700
-
ns
Fall time
tf
-
150
-
ns
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　
　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
*1　Pw=10ms Single Pulse
*2　Mounted on FR4 board(25.4×25.4×1.6mm, Cu PAD：645mm2).
*3　Pw=10ms
　　Mounted on FR4 board(25.4×25.4×1.6mm, Cu PAD：645mm2).
*4 Pulsed
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　
　
　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
www.rohm.com
© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/6
20200722 - Rev.001



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