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HM2011 数据表(PDF) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM2011 数据表(HTML) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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2 / 14 page  引脚信息 IN+ AGND IN- VDD CTRL OUT+ PGND OUT- 1 2 3 A B C 9焊球WLCSP 底视图 1 2 3 4 8 7 6 5 CTRL BYPASS IN- IN+ OUT- GND VDD OUT+ 8引脚SOP 顶视图 BYPASS 引脚定义*1 SOP 引脚号 WLCSP 焊球号 引脚 名称 I/O ESD 保护电路 功能 1 C2 CTRL I PN ACF模式和关断模式控制端 2 B2 BYPASS A PN 模拟参考电压 3 C1 IN- A PN 反相输入端（差分 -） 4 A1 IN+ A PN 同相输入端（差分 +） 5 A3 OUT+ O - 同相输出端（ BTL+） 6 A2 VDD Power - 电源 7 B1/B3 GND GND - 地 8 C3 OUT- O - 反相输出端（ BTL-） 注 1 I: 输入端 O: 输出端 A: 模拟端 当大于 VDD的电压外加于PN保护型端口（ESD保护电路由PMOS和NMOS组成）时，PMOS电路将有漏电流流过。 电气特性 极限工作条件*2 参数 符号 最小值 最大值 单位 电源电压范围 VDD -0.3 7.0 V 输入信号电压范围 (IN+, IN-) VIN VSS－0.6 VDD＋0.6 V 输入信号电压范围 (除IN+, IN-外) VIN VSS－0.3 VDD＋0.3 V 工作环境温度范围 TA -40 85 ℃ 工作结温范围 TJ -40 150 ℃ 储存温度 TSTG -50 150 ℃ 注 2: 为保证器件可靠性和寿命，以上绝对最大额定值不能超过。否则，芯片可能立即造成永久性损坏或者其可靠性大大恶化。若输入端电压 在可能超过 VDD/GND的应用环境中使用，推荐使用一个外部二极管来保证该电压不会超过绝对最大额定值。 推荐工作条件 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 *3 VDD 2.5 5 6.5 V 工作环境温度 Ta tSD (Min.)=50ms -20 25 85 ℃ tSD (Min.)=80ms -30 扬声器阻抗 RL 2 *4 4 Ω 注 3: VDD的上升时间应当超过1μs。 注 4:扬声器阻抗为2欧姆应选取SOP8-PP封装，增加散热性能，并且不推荐工作在VDD=3.6~5V范围之外。 HM2011 4.7W 防削顶 D 类音频功率放大器 |
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