HM4063 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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电气特性:

（

VCC=15V，TA=－40℃ 到 85℃，除非另有注明）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

输入电压范围

VCC

7.5

低电压锁存阈值

UVLO

4.2

7. 3

芯片工作电流

IVCC

VBAT＞VREG

1.2

1.7 5

2.3

调制电压

VREG

恒压充电模式

12.474 12. 6

12.726

电流检测

VCS

VBAT＞8.4V，VCSP－VBAT

190

20 0

21 0

VBAT＜8.4V，VCSP－VBAT

3 0

4 2

流入

BAT 管脚电流

IBAT

充电结束模式或睡眠模式

涓流充电阈值

VPRE

BAT管脚电压上升

8.1

8.4

8.7

涓流充电阈值迟滞

HPRE

BAT管脚电压下降

0.3

再充电阈值

VRE

BAT管脚电压下降

过压阈值

Vov

电池电压上升

1.06

1.08

1.1

VREG

过压释放阈值

Vclr

电池电压下降

0.98

1.0 2

TEMP 管脚

上拉电流

Iup

5 0

6 2

比较器高端阈值

Vthh

TEMP 管脚电压上升

1.57

1. 61

1. 65

比较器低端阈值

Vthl

TEMP 管脚电压下降

0.145 0.1 75

0.205

CHRG 管脚

CHRG管脚下拉电流

ICHRG

VCHRG=1V，充电模式

CHRG管脚漏电流

ILK1

VCHRG=25V，充电结束模式

DONE 管脚

管脚下拉电流

IDONE

VDONE=1V，充电结束模式

管脚漏电流

ILK2

VDONE=25V，充电模式

振荡器

频率

fosc

240

300

360

kHZ

最大占空比

Dmax

睡眠模式

睡眠模式阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLP

CC falling

VBAT=8V

0.06

0. 1

0. 14

VBAT=12V

0.1

0. 14

0. 18

VBAT=18V

0.18

0. 23

0. 28

睡眠模式释放阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLPR

VCC rising,

VBAT=8V

0.26

0. 32

0. 39

VBAT=12V

0.32

0. 42

0. 52

VBAT=18V

0.38

0. 47

0. 58

DRV 管脚

VDRV 高电平

(VCC－VDRV)

IDRV＝－10mA

VDRV 低电平

(VCC－VDRV)

IDRV＝0mA

6 .5

上升时间

Cload＝2nF, 10% to 90%

下降时间

Cload＝2nF, 90% to 10%

4 0

6 5

HM4063

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

HM4063 数据表(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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