4MP10CH

No.8400-1/3

4MP10CH

特長

・高 fT である：fT typ=400MHz。

・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。

・帰還容量が小さく高周波特性がすぐれている：Cre=1.7pF。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

コレクタ・ベース電圧

VCBO

− 200

V

コレクタ・エミッタ電圧

VCEO

− 200

V

エミッタ・ベース電圧

VEBO

−4

V

コレクタ電流

IC

− 100

mA

コレクタ電流

（パルス）

ICP

− 200

mA

コレクタ損失

PC

600

mW

接合部温度

Tj

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目

記号

条件

定格値

unit

min

typ

max

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB=− 150V, IE=0A

− 0.1

µA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB=− 2V, IC=0A

− 1.0

µA

直流電流増幅率

hFE(1)

VCE=− 10V, IC=− 10mA

60

200

hFE(2)

VCE=− 10V, IC=− 60mA

20

利得帯域幅積

fT

VCE=− 30V, IC=− 30mA

400

MHz

コレクタ・エミッタ飽和電圧

VCE(sat)

IC=− 30mA, IB=− 3mA

− 0.6

V

ベース・エミッタ飽和電圧

VBE(sat)

IC=− 30mA, IB=− 3mA

− 1.0

V

コレクタ・ベース降伏電圧

V(BR)CBO IC=− 10µA, IE=0A

− 200

V

コレクタ・エミッタ降伏電圧

V(BR)CEO IC=− 1mA, RBE=∞

− 200

V

エミッタ・ベース降伏電圧

V(BR)EBO IE=− 100µA, IC=0A

− 4

V

出力容量

Cob

VCB=− 30V, f=1MHz

2.3

pF

帰還容量

Cre

VCB=− 30V, f=1MHz

1.7

pF

単体品名表示：GR

PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ

高周波一般増幅用

72905AA MS IM ◎川浦 TB-00001574

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

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多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

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注文コード No. N8400