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2SA2016 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

部件名 2SA2016
功能描述  DC / DC Converter Applications
PDF  8 Pages
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制造商  SANYO [Sanyo Semicon Device]
网页  https://www.sanyo-av.com/us/
标志 SANYO - Sanyo Semicon Device

2SA2016 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device

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2SA2016 / 2SC5569
No.6309-2/8
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Current
IC
(--)7
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)10
A
Base Current
IB
(--)1.2
A
Collector Dissipation
PC
When mounted on ceramic substrate (250mm2×0.8mm)
1.3
W
Tc=25°C
3.5
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(50)28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)3.5A, IB=(--)175mA
(--230)160
(--390)240
mV
VCE(sat)2
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--240)110
(--400)170
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--)0.83
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)30
ns
Storage Time
tstg
(225)420
ns
Fall Time
tf
25
ns
Switching Time Test Circuit
Ordering Information
Device
Package
Shipping
memo
2SA2016-TD-E
PCP
1,000pcs./reel
Pb Free
2SC5569-TD-E
PCP
1,000pcs./reel
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.



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