HS8MA2

　 　 　 　　 　

　 　 　 　 　 　 　 　

Datasheet

l

lGate charge characteristics (Ta = 25°C)

<Tr1>

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

Total gate charge

Qg*4

VDD ⋍ -15V

ID = -3A

VGS = -10V

-

7.8

-

nC

VGS = -4.5V

-

4.3

-

Gate - Source charge

Qgs*4

-

1.6

-

Gate - Drain charge

Qgd*4

-

1.5

-

<Tr2>

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

Total gate charge

Qg*4

VDD ⋍ 15V

ID = 4.5A

VGS = 10V

-

8.4

-

nC

VGS = 4.5V

-

4.7

-

Gate - Source charge

Qgs*4

-

1.7

-

Gate - Drain charge

Qgd*4

-

1.6

-

l

lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)

<Tr1>

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

Continuous forward current

IS

Ta = 25℃

-

-

-1.0

A

Pulse forward current

ISP*2

-

-

-30

Forward voltage

VSD*4

VGS = 0V, IS = -1.0A

-

-

-1.2

V

<Tr2>

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

Continuous forward current

IS

Ta = 25℃

-

-

1.0

A

Pulse forward current

ISP*2

-

-

30

Forward voltage

VSD*4

VGS = 0V, IS = 1.0A

-

-

1.2

V

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　

　

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20191011 - Rev.001