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PN8366HSSC-R1 数据表(PDF) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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PN8366HSSC-R1 数据表(HTML) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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3 / 9 page ![]() PN8366 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话:+86(510)85217718 网址: http://www.chipown.com.cn Rev.A.1508 3 / 9 电气特性 表 3. 功率部分 (T J =25°C, VDD = 21 V;特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 PN8366M-VBVDSS 功率管耐压 ISW = 250uA 650 700 V PN8366M-RDS(on) 功率管导通电阻 ISW = 0.5A , TJ = 25℃ 8 Ω PN8366H-VBVDSS 功率管耐压 ISW = 250uA 790 830 V PN8366H-RDS(on) 功率管导通电阻 ISW = 0.5A , TJ = 25℃ 10 Ω IOFF 关态漏电流 VSW = 500V 100 uA VSW_START 启动电压 VDD=VDDon - 1V 30 V 表 4. 电源部分 (TJ =25°C, VDD = 21 V;特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 VDD工作电压部分 VDD 工作电压范围 8 30 V VDDon VDD启动阈值电压 14.5 16.5 18.5 V VDDoff VDD欠压保护阈值电压 7.5 8.5 9.5 V VDDovp VDD过压保护电压 30 34 38 V VDD工作电流部分 IDD_CH 启动管对 VDD充电电流 VDD=VDDon - 1V, Vsw=100V 0.8 mA IDD 开关工作时芯片电流 VDD = VDDon +1V 0.3 0.5 0.7 mA IDD_FAULT 保护状态时芯片电流 VDD=15V 0.5 mA 表 5. 控制部分(TJ =25°C, VDD = 21 V;特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 CS电流检测部分 VTH_OC 过流检测阈值电压 485 500 515 mV VTH_OC_MAX 最大过流检测阈值电压 550 mV Vcs_min 最小 CS检测阈值电压 170 mV TLEB 前沿消隐时间 300 ns Tonmax 最大开启时间 50 us TD_OC 过流延时时间 100 ns FB电压检测部分 VREF_CV 空载反馈基准电压 2.475 2.5 2.525 V VFBOVP 输出过压保护阈值电压 2.85 3 3.15 V VUVP 输出欠压保护阈值电压 1.5 V Icable 最大线电阻补偿电流 VFB=0V 22 24 26 uA Toffmin 最小关断时间 5 us Toffmax 最大关断时间 2.5 ms TUVP 输出欠压保护屏蔽时间 开关频率 50kHz 20 32 ms 过温保护部分 TSD 过温保护温度 140 160 °C THYST 过温保护回差 30 °C |
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