SPL LL85

2006-04-12

3

Optische Kennwerte (

T

Optical Characteristics

Parameter

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

min.

typ.

max.

Zentrale Emissionswellenlänge

1)

Emission wavelength

1)

λ

840

850

860

nm

Spektralbreite (Halbwertsbreite)

1)

Spectral width (FWHM)

1)

∆λ

–

4

9

nm

Spitzenausgangsleistung

1)

Peak output power

1)

P

opt

12

14

18

W

Ladespannung an der Laserschwelle

Charge Voltage at laser threshold

U

C, th

1.2

1.5

2.0

V

Pulsbreite (Halbwertsbreite)

1), 2)

Pulse width (FWHM)

1), 2)

t

p

25

28

31

ns

Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)

1), 2)

Rise and fall time (10% … 90%)

1), 2)

t

t

f

7.0

26

9.5

29

12.0

32

ns

ns

Austrittsöffnung

Aperture size

–

200

× 2

–

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction

1)

θ

||

12

15

18

Grad

deg.

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) perpendicular to

pn-junction

1)

27

30

33

Grad

deg.

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge

Temperature coefficient of wavelength

–

0.25

0.32

nm/K

Thermischer Widerstand

Thermal resistance

R

th

–

200

–

K/W

Einschaltpunkt der Gate-Spannung

Switch on gate voltage

V

G on

–

4.5

–

V

1)

Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V

Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec

EL7104C.

Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage,

15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.

2)

Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300pF) des internen

Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten <40ns. Dies bewirkt

jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5).

Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300pF) of the internal transistor. Reduced

pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <40ns. This also reduces the optical peak power (see diagrams on page 5).

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