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BM8N08A-R-A 数据表(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 BM8N08A-R-A
功能描述  NPN SILICON TRANSISTORS
PDF  5 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

BM8N08A-R-A 数据表(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
BM8N08A
版本：202008A
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
* Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符 号
Symbol
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻 SOT-223
Thermal Resistance Junction Ambient SOT-223
Rth(j-a)
25
℃/W
结到管壳的热阻 DPAK
Thermal Resistance Junction Case DPAK
Rth(j-c)
6.25
℃/W
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
80
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
80
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
8
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
5
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (SOT-223)
PC
5
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (DPAK)
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
BVCEO
IC=30mA ,IB=0
80
-
-
V
BVCES
IC=1 mA ,IE=0
80
-
-
V
BVEBO
IE=1 mA ,IC=0
5
-
-
V
ICES
VCB=80V,
VEB=0
-
-
10
uA
IEBO
VEB=5V, IC=0
-
-
50
uA
hFE(1)
VCE =1V,
IC=2A
60
-
-
hFE(2)
VCE =1V,
IC=4A
40
-
-
VCE(sat)
IC=8A,
IB=0.4A
-
-
1.0
V
VBE(sat)
IC=8A,
IB=0.8A
-
-
1.5
V
COB
VCB=10V
-
130
-
pF
fT
VCE =10V, IC=500A,f=20MHz
-
50
-
MHz



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