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CS410M1A-R-A 数据表(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 CS410M1A-R-A
功能描述  Thyristors(SCR)
PDF  9 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

CS410M1A-R-A 数据表(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
CS410M1A
版本：202108A
4/9
静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated)
动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated)
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION
项
目
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
min
典型
typ
最大
max
单位
Unit
断态峰值重复电流
Peak Repetitive Blocking Current
IDRM
VDM= VDRM(MAX),
Tj=125℃
-
-
1.0
mA
反向峰值重复电流
Peak Repetitive Reverse Current
IRRM
VRM= VRRM(MAX),
Tj=125℃
-
-
1.0
mA
峰值通态电压
Peak on-state voltage
VTM
ITM=23A
-
1.40
1.75
V
门极触发电流
Gate trigger current
IGT
VDM=12V,IT=0.1A
1
4
15
mA
门极触发电压
Gate trigger voltage
VGT
VDM=12V,IT=0.1A
-
0.8
1.5
V
维持电流
Holding current
IH
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
25
mA
擎住电流
Latching
current
IL
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
40
mA
项
目
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
min
典型
typ
最大
max
单位
Unit
断态临界电压上升率
Critical rate of rise of
off- state voltage
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125℃
100
-
-
V/μs
项
目
Parameter
符
号
Symbol
值
value
单位
Unit
结到管壳的热
Thermal resistance junction to case
TO-220(C)\TO-263
Rth(j-c)
1.3 max
℃/W
DPAK\IPAK
Rth(j-c)
1.8 max
结到散热片的热阻 Thermal
resistance junctiontoheatsink
TO-220MF-K1
Rth(j-hs)
4.5 max
结到环境的热阻 Thermal resistance junctiontoambient ( half cycle)
Rth(j-a)
60 typ
项
目
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
数值
Value
单位
Unit
绝缘电压 Isolation voltage
VISOL
1 minute, leads to mounting tab
TO-220MF-K1
2000
V



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