R

JCS3AN150A

版本：202306F

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大值

Value

单

位

Unit

JCS3AN150

CA/BA/SA

JCS3AN150

AA

JCS3AN150

FA

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

0.34

1.8

2.6

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to

Ambient

Rth(j-A)

62.5

40

62.5

℃/W

项

目

Parameter

符

号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

开关特性 Switching

–Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=750V,

ID=3A,

RG=4.7Ω（note 3，4）

-

31

46.5

ns

上升时间 Turn-On rise time

tr

-

56

84

ns

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

-

105 157.5 ns

下降时间 Turn-Off Fall time

tf

-

115 172.5

ns

栅极电荷总量 Total Gate Charge

Qg

VDS =750V ,

ID=3A

VGS =10V（note 3，4）

-

37

55.5

nC

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

-

6

9

nC

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

-

22

33

nC

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

IS

-

-

3

A

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

ISM

-

-

12

A

正向导通压降

Forward on voltage

VSD

VGS=0V, IS=3A

-

-

1.6

V

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V，IS=3A

dIF/dt=100A/μs (note 3)

-

376

-

ns

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

-

2.1

-

μC

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=100.0mH, IAS=3A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结温

TJ=25℃

3：ISD ≤3A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction temperature

2：L=100.0mH, IAS=3A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤3A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃

4：Pulse Test：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature