JCS60N10I-R-A datasheet(3/11 Pages) JSMC

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JCS60N10I

版本：202308G

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

关态特性 Off

–Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Voltage

BVDSS

ID=250μA, VGS=0V

100

零栅压下漏极漏电流

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=100V,VGS=0V,

TC=25℃

μA

VDS=100V,VGS=0V,

TC=100℃

μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

IGSSF

VDS=0V, VGS =20V

100

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGSSR

VDS=0V, VGS =-20V

-100

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS , ID=250μA

2.0

4.0

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(ON)

VGS =10V , ID=40A

14.0

16.0 m

Ω

动态特性 Dynamic Characteristics

栅电阻

Gate resistance

f=1.0MHZ

2.4

Ω

输入电容

Input capacitance

Ciss

VDS=25V,

VGS =0V,

f=1.0MHZ

2800

输出电容

Output capacitance

Coss

314

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Crss

200

JCS60N10I-R-A 数据表(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS60N10I-R-A 数据表(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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