JCS7N80C datasheet(3/8 Pages) JSMC

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版本：201809A

3/8

N 沟道增强型场效应晶体管

N-CHANNEL MOSFET

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

关态特性 Off

–Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Voltage

BVDSS

ID=250μA, VGS=0V

800

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVDSS/Δ

ID=250μA, referenced to

25℃

0.95

V/℃

零栅压下漏极漏电流

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=800V,VGS=0V,

TC=25℃

μA

VDS=640V,

TC=125℃

100

μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

IGSSF

VDS=0V,

VGS =30V

100

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGSSR

VDS=0V,

VGS =-30V

-100

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS ,

ID=250μA

2.0

4.0

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(ON)

VGS =10V ,

ID=2.0A

25℃

0.5

1.33 1.8

Ω

VGS =10V ,

ID=2.0A

100℃

0.6

2.32 4.5

Ω

VGS =10V ,

ID=2.0A

150℃

0.8

3.44

Ω

正向跨导

Forward Transconductance

gfs

VDS = 50V, ID=2.0A（note 4）

6.65

动态特性 Dynamic Characteristics

栅极电阻

Gate resistance

F=1.0MHZ open drain

0.5

6.0

Ω

输入电容

Input capacitance

Ciss

VDS=25V,

VGS =0V,

f=1.0MHZ

200 1580 2100

输出电容

Output capacitance

Coss

100

200

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Crss

2.0

11.3

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