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JT05N065RAD-R-A 数据表(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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JT05N065RAD-R-A 数据表(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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4 / 9 page ![]() R JT05N065RAD 版本:202112B 4/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间 Turn-On delay time td(on) VCC=400V,Ic=5A,RG=60Ω VGE=15 V TC=25℃ - 22 - ns 上升时间 Turn-On rise time tr - 13 - ns 关断延迟时间 Turn-Off delay time td(off) - 91 - ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 25 - ns 开通损耗 Turn-On energy Eon - 123 - μJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 53 - μJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 176 - μJ 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VF VGE=0V, IF=5A - 1.5 2.2 V 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=400V IF=5A dIF/dt=200A/μs - 33 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 145 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current IRRM - 2.7 - A 项 目 Parameter 符 号 Symbol MAX 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 2.1 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 110 ℃/W 注释: 1:脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 1:Pulse width limited by maximum junction temperature |
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