Datasheet

1

Revision 2.0

https://www.infineon.com

2024‑09‑24

SiC MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

Built on Infineon’s robust 2  generation Silicon Carbide trench 

nd

technology, the 650 V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled 

performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost 

effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing 

system and market needs.

Features

Benefits

Potential applications

Product validation

Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

Please note: The source and driver source pins are not exchangeable. Their 

exchange might lead to malfunction.

Table 1        Key Performance Parameters

Parameter

Value

Unit

V  over full T

650

V

R

10.0

mΩ

R

13.1

mΩ

Q

112

nC

I

565

A

Q  @ 400 V

212

nC

E  @ 400 V

28.8

μJ

PG‑TO247‑4

Type/Ordering Code

Package

Marking

Related Links

IMZA65R010M2H

PG‑TO247‑4

65R010M2

see Appendix A

Ultra‑low switching losses

• 

Benchmark gate threshold voltage, 

 = 4.5 V

V

• 

GS(th)

Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn‑off gate voltage

• 

Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme

• 

Robust body diode operation under hard commutation events

• 

.XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance

• 

Enables high efficiency and high power density designs

• 

Facilitates great ease of use and integration

• 

Provides the best price performance ratio compared to Industry’s most 

ambitious roadmaps

• 

Reduces the size, weight and bill of materials of the systems

• 

Enhances system robustness and reliability

• 

SMPS

• 

Solar PV inverters

• 

Energy storage and battery formation

• 

UPS

• 

EV charging infrastructure

• 

Motor drives

• 

DSS

j,range

DS(on),typ

DS(on),max

G,typ

D,pulse

oss

oss

 

 

Public

IMZA65R010M2H

Final datasheet

1

2

3

4

tab

Drain

Pin 1, Tab

Gate

Pin 4

Power

Source

Pin 2

Driver

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*1