CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

IMZA65R033M2H

Public

Datasheet

6

Revision 2.0

https://www.infineon.com

2024‑09‑24

4   Electrical characteristics

at   = 25°C, unless otherwise specified

T

Table 5      Static characteristics

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Drain‑source voltage

V

650 ‑

‑

V

V  = 0 V,   = 0.57 mA

I

Gate threshold voltage 4)

V

3.5 4.5 5.6 V

V  =  ,   = 5.7 mA

V I

Zero gate voltage drain current

I

‑

1 

3

75 

‑

μA

V  = 650 V,   = 0 V,   = 25°C 

V

T

 = 650 V,   = 0 V,   = 175°C

V

V

T

Gate‑source leakage current

I

‑

‑

100 nA

V  = 20 V,   = 0 V

V

Drain‑source on‑state resistance

R

‑

43 

33 

30 

54

‑ 

41 

‑ 

‑

mΩ

V  = 15 V,   = 27.9 A,   = 25°C 

I

T

 = 18 V,   = 27.9 A,   = 25°C 

V

I

T

 = 20 V,   = 27.9 A,   = 25°C 

V

I

T

 = 18 V,   = 27.9 A,   =175°C

V

I

T

Internal gate resistance

R

‑

3.1 ‑

Ω

f = 1 MHz

    Tested after 1 ms pulse at V  = +20 V. “Linear mode” operation is not recommended. For assessment of potential “linear 

4)

mode” operation, please contact Infineon sales office.

Table 6      Dynamic characteristics

External parasitic elements (PCB layout) influence switching behavior significantly.

Stray inductances and coupling capacitances must be minimized. 

For layout recommendations please use provided application notes or contact Infineon sales office.

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Input capacitance

C

‑

1214 ‑

pF

V  = 0 V,   = 400 V,   = 250 kHz

V

f

Reverse transfer capacitance

C

‑

7.0 ‑

pF

V  = 0 V,   = 400 V,   = 250 kHz

V

f

Output capacitance 5)

C

‑

90

117 pF

V  = 0 V,   = 400 V,   = 250 kHz

V

f

Output charge 5)

Q

‑

65

84 nC

calculation based on 

C

Effective output capacitance,

energy related 6)

C

‑

109 ‑

pF

V  = 0 V,

 = 0...400 V

V

Effective output capacitance,

time related 7)

C

‑

161 ‑

pF

I  = constant,   = 0 V,   = 0...400 V

V

V

Turn‑on delay time

t

‑

8.8 ‑

ns

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 27.9 A, 

 = 1.8 Ω;

I

R

see table 10

Rise time

t

‑

9.1 ‑

ns

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 27.9 A, 

 = 1.8 Ω;

I

R

see table 10

j

DSS

GS

D

GS(th)

DS

GS D

DSS

DS

GS

j

DS

GS

j

GSS

GS

DS

DS(on)

GS

D

j

GS

D

j

GS

D

j

GS

D

j

G,int

GS

iss

GS

DS

rss

GS

DS

oss

GS

DS

oss

oss

o(er)

GS

DS

o(tr)

D

GS

DS

d(on)

DD

GS

D

G,ext

r

DD

GS

D

G,ext