BC337 / BC338

BC337 / BC338

NPN

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-05-30

Dimensions - Maße [mm]

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

BC337

BC338

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

50 V

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

800 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

1 A

Base current – Basisstrom

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

Group -16

Group -25

Group -40

100

160

250

160

250

400

250

400

630

Group -16

Group -25

Group -40

60

100

170

130

200

320

–

–

–

–

–

0.7 V

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

2 x 2.54

C BE