2001-02-22

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SFH 331

Kennwerte Fototransistor (

T

Characteristics Phototransistor

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

Smax

860

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

max

Spectral range of sensitivity

max

λ

380

… 1150

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

(∅ 240 µm)

Radiant sensitive area

(∅ 240 µm)

A

0.045

Abmessungen der Chipfläche

Dimensions of chip area

L

0.45

× 0.45

mm

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche

Distance chip surface to case surface

H

0.5

… 0.7

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

deg.

Kapazität

Capacitance

V

C

CE

5.0

pF

Dunkelstrom

Dark current

V

I

CEO

1 (

≤ 200)

nA

Fotostrom

Photocurrent

E

I

PCE

≥ 16

µA

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise time/Fall time

I

t

7

µs

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

I

2

V

CEsat

150

mV