SFH 460

GaAlAs-Lumineszenzdiode

GaAlAs Infrared Emitter

2001-02-22

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Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• Hermetisch dichtes Metallgehäuse

• Gehäusegleich mit SFH 216, SFH 400 und

SFH 480

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Gerätefernsteuerungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 460

Q62702-P478

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Glaslinse,

hermetisch dichtes Gehäuse, Anschlüsse im

2.54-mm-Raster (

18 A3 DIN 41876 (TO -18), glass lens, hermetically

sealed package, lead spacing 2.54 mm (

Features

• Fabricated in a liquid phase epitaxy process

• Cathode is electrically connected to the case

• High reliability

• Matches all Si-Photodetectors

• Hermetically sealed package

• Same package as SFH 216, SFH 400 and

SFH 480

Applications

• Photointerrupters

• IR remote control of various equipmet

• Sensor technology

• Light-grille barrier