2001-02-21

2

BP 104 S

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

– 40 … +85

°C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

20

V

Verlustleistung,

T

Total power dissipation

P

tot

150

mW

Kennwerte (

T

Characteristics (

T

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotostrom

V

Photocurrent

I

P

55 (

≥ 40)

nA/lx

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

max

Spectral range of sensitivity

max

λ

400 … 1100

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

4.84

mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L

L

2.20

× 2.20

mm

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche

Distance chip front to case surface

H

0.3

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

Dark current

I

R

2 (

≤ 30)

nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit,

λ = 850 nm

Spectral sensitivity

0.62

A/W

Quantenausbeute,

λ = 850 nm

Quantum yield

η

0.90

Electrons

Photon