SPL LL90

2007-04-04

3

Optische Kennwerte (

T

Optical Characteristics

Parameter

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

min.

typ.

max.

Zentrale Emissionswellenlänge

1)

Emission wavelength

1)

λ

895

905

915

nm

Spektralbreite (Halbwertsbreite)

1)

Spectral width (FWHM)

1)

Δλ

–

7

9

nm

Spitzenausgangsleistung

1)

Peak output power

1)

P

opt

22

25

28

W

Ladespannung an der Laserschwelle

Charge Voltage at laser threshold

U

C, th

1.2

1.5

2.0

V

Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)

1), 2)

Rise and fall time (10% … 90%)

1), 2)

t

t

f

11

14

-

-

–

–

ns

ns

Austrittsöffnung

Aperture size

–

200

× 2

–

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction

1)

θ

||

12

15

18

Grad

deg.

Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum

pn-Übergang

1)

Beam divergence (FWHM) perpendicular to

pn-junction

1)

27

30

33

Grad

deg.

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge

Temperature coefficient of wavelength

–

0.30

0.32

nm/K

Thermischer Widerstand

Thermal resistance

R

th

–

200

–

K/W

Einschaltpunkt der Gate-Spannung

Switch on gate voltage

V

G on

–

4.0

–

V

1)

Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: 30 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 16 V

Ladespannung, 15 V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem

MOSFET-Treiber Elantec EL7104C.

Values refer to the following standard operating conditions: 30 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 16 V

charge voltage, 15 V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec

EL7104C.

2)

Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF)

des internen Transistors geladen wird. Geringere Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei reduzierter optischer

Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5)

Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal

transistor. Reduced rise and fall times occur at reduced optical peak power (see diagrams on page 5)