LBG6SP datasheet(1/17 Pages) OSRAM

部件名	LBG6SP

功能描述	Advanced Power TOPLED Enhanced optical Power LED

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制造商	OSRAM [OSRAM GmbH]

网页	http://www.osram.com

标志

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LB G6SP, LT G6SP

Advanced Power TOPLED

®

Enhanced optical Power LED (ThinGaN

®)

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Vorläufige Daten / Preliminary Data

2007-08-08

1

Besondere Merkmale

• Gehäusetyp: weißes P-LCC-6 Gehäuse,

farbloser klarer Verguss

• Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

erhöhten optischen Wirkungsgrad; höherer

Strom bei gleicher Umgebungstemperatur im

Vergleich zur PowerTOPLED

® möglich

• Wellenlänge: 470 nm (blau),

528 nm (true green)

• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)

• Technologie: ThinGaN

®

• optischer Wirkungsgrad: 10 lm/W (blau),

37 lm/W (true green)

• Gruppierungsparameter: Lichtstärke,

Wellenlänge, Durchlassspannungsgruppen

• Verarbeitungsmethode: für alle

SMT-Bestücktechniken geeignet

• Lötmethode: IR Reflow Löten und

Wellenlöten (TTW)

• Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2

• Gurtung: 12 mm Gurt mit 1000/Rolle,

ø180 mm

• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach

JESD22-A114-D

Anwendungen

• Hinterleuchtung (LCD, Displays,

Werbebeleuchtung)

• Ersatz von Kleinst-Glühlampen

• Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,

Fluchtwege, u.ä.)

• Signal- und Symbolleuchten

• Scanner

Features

• package: white P-LCC-6 package, colorless

clear resin

• feature of the device: more light due to higher

optical efficiency; higher current at the same

ambient temperature possible compared to

PowerTOPLED

®

• wavelength: 470 nm (blue),

528 nm (true green)

• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)

• technology: ThinGaN

®

• optical efficiency: 10 lm/W (blue),

37 lm/W (true green)

• grouping parameter: luminous intensity,

wavelength, forward voltage grouping

• assembly methods: suitable for all

SMT assembly methods

• soldering methods: IR reflow soldering and

TTW soldering

• preconditioning: acc. to JEDEC Level 2

• taping: 12 mm tape with 1000/reel, ø180 mm

• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to

JESD22-A114-D

Applications

• backlighting (LCD, displays, illuminated

advertising)

• substitution of micro incandescent lamps

• marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)

• signal and symbol luminaire

• scanners

类似零件编号 - LBG6SP

制造商	部件名	数据表	功能描述
SunLED Corporation	LBGA11W	188Kb / 4P	T-1 (3mm) SOLID STATE LAMP
	LBGA12W	189Kb / 4P	T-1 3/4 (5mm) SOLID STATE LAMP
	LBGA20W	186Kb / 4P	OVAL SOLID STATE LAMP
NXP Semiconductors	LBGA256	2Mb / 153P	32-bit ARM Cortex-M4/M0 MCU; up to 264 kB SRAM; Ethernet; two High-speed USBs; advanced configurable peripherals Rev. 4-26 March 2013
NXP Semiconductors	LBGA256	2Mb / 149P	32-bit ARM Cortex-M3 MCU; up to 200 kB SRAM; Ethernet, two High-speed USB, LCD, and external memory controller Rev. 6.1-7 February 2013

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类似说明 - LBG6SP

制造商	部件名	数据表	功能描述
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	LWP4SG	642Kb / 18P	Enhanced optical Power LED
	LWG6SP	257Kb / 17P	Advanced Power TOPLED Enhanced optical Power LED
	LCWG6SP	261Kb / 18P	Advanced Power TOPLED Enhanced optical Power LED
	LRTBGFUG	626Kb / 28P	Enhanced optical Power LED
	LTRBGFSF	1Mb / 32P	Enhanced optical Power LED
	LAYT67B	353Kb / 15P	Enhanced optical Power LED
	LAG6SP	1Mb / 22P	Advanced Power TOPLED
	LYG5AP	910Kb / 21P	Advanced Power TOPLED