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D2102 数据表(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 D2102
功能描述  CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY
PDF  6 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

D2102 数据表(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DD2102
版本：200911E
2/6
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25
)
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
BVCBO
1500
V
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
BVCEO
600
V
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
BVEBO
6
V
直流
DC
IC
6
最大集电极电流
Collector Current
脉冲
Pulse
ICP
12
A
最大基极直流电流
Base Current
IB
3
A
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
PC
50
W
最高结温
Max. Junction Temperature
Tj
150
℃
储存温度
Storage Temperature Range
TSTG
-55~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 )
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Min
最大值
Max
单位
Unit
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
1500
V
V(BR)EBO
IE=400mA,IC=0
6
V
ICBO
VCB=1500V, IE=0
1
mA
IEBO
VEB=5V, IC=0
66
200
mA
VCE = 5 V, IC = 1 A
8
30
HFE
VCE = 5 V, IC = 4 A
5
VCE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
5
V
VBE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
1.5
V
-VF
IF=5A
2
V
tf
1
µs
ts
IC=4A,2IB1=-IB2=1.6A
fH=15.75kHz
9
µs
ft
VCE=10V, IC=0.1A
1
MHz



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