ZX10 ... ZX200 (12.5 W)

ZX10 ... ZX200 (12.5 W)

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden)

Version 2008-04-09

Dimensions - Maße [mm]

Maximum power dissipation

Maximale Verlustleistung

12.5 W

Nominal Z-voltage

Nominale Z-Spannung

10 ... 200 V

Metal case

Metallgehäuse

DO-4

Weight approx. – Gewicht ca.

5.5 g

Standard polarity: Cathode to stud / Kathode am Gewinde

Index R: Anode to stud / Anode am Gewinde (e. g. ZX10R)

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Maximum ratings

Grenzwerte

Power dissipation without cooling fin

Verlustleistung ohne Kühlblech

1.6 W

12.5 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

100 W

Admissible mounting torque

Zulässiges Anzugsdrehmoment

1 Nm

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

< 80 K/W 1

Thermal Resistance Junction – Case

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

< 5 K/W

Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

1

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

M5

7

Ø2

Type

SW11