BP104F datasheet(3/5 Pages) SIEMENS

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BP 104 F

BP 104 FS

Semiconductor Group

1997-11-19

Kennwerte (

A = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit

Spectral sensitivity

R = 5 V, Ee = 1 mW/cm

34 (

≥ 25)

µA

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

S max

950

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

780 ... 1100

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

4.84

mm2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

× B

× W

2.20

× 2.20

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

0.5

0.3 (BP 104 FS)

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

deg.

Dunkelstrom,

R = 10 V

Dark current

2 (

≤ 30)

Spektrale Fotoempfindlichkeit

Spectral sensitivity

Sλ

0.70

A/W

Quantenausbeute

Quantum yield

0.90

Electrons

Photon

Leerlaufspannung,

e = 0.5 mW/cm

Open-circuit voltage

330 (

≥ 250)

Kurzschlußstrom,

e = 0.5 mW/cm

Short-circuit current

µA

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

L = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA

r, tf

Durchlaßspannung,

F = 100 mA, E = 0

Forward voltage

1.3

Kapazität,

R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

BP104F 数据表(PDF) 3 Page - Siemens Semiconductor Group

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