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2SA2012 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

部件名 2SA2012
功能描述  DC / DC Converter Applications
PDF  5 Pages
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制造商  SANYO [Sanyo Semicon Device]
网页  https://www.sanyo-av.com/us/
标志 SANYO - Sanyo Semicon Device

2SA2012 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device

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background image
2SA2012 / 2SC5565
No.6306-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)30V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(350)420
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(30)20
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--140)125 (--210)190
mV
VCE(sat)2
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--)170
(--)260
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--)0.83
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(50)30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(270)300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)15
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
+
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
VR
RB
24Ω
VCC=12V
100μF
470μF
VBE=--5V
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)



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