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2SC5964 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

部件名 2SC5964
功能描述  DC / DC Converter Applications
PDF  8 Pages
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制造商  SANYO [Sanyo Semicon Device]
网页  https://www.sanyo-av.com/us/
标志 SANYO - Sanyo Semicon Device

2SC5964 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device

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2SA2125 / 2SC5964
No.7988-2/8
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Current
IC
(--)3
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)6
A
Base Current
IB
(--)600
mA
Collector Dissipation
PC
When mounted on ceramic substrate (250mm2×0.8mm)
1.3
W
Tc=25°C
3.5
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0A
(--)1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(390)380
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(24)13
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--125)100
(--230)150
mV
VCE(sat)2
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--250)190
(--500)290
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--)0.94
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
(--50)100
V
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(30)35
ns
Storage Time
tstg
(230)300
ns
Fall Time
tf
(18)25
ns
Switching Time Test Circuit
Ordering Information
Device
Package
Shipping
memo
2SA2125-TD-E
PCP
1,000pcs./reel
Pb Free
2SA2125-TD-H
PCP
1,000pcs./reel
Pb Free and Halogen Free
2SC5964-TD-E
PCP
1,000pcs./reel
Pb Free
2SC5964-TD-H
PCP
1,000pcs./reel
Pb Free and Halogen Free
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
+
50
Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100
μF
470
μF
PW=20
μs
D.C.
≤1%
IB1
IB2



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