P2000D datasheet(1/2 Pages) DIOTEC

部件名	P2000D

功能描述	Silicon Rectifier Diodes

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制造商	DIOTEC [Diotec Semiconductor]

网页	http://www.diotec.com

标志

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P2000A ... P2000M

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Version 2013-01-24

Dimensions - Maße [mm]

Nominal current

Nennstrom

20 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50...1000 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Ø 8 x 7.5 [mm]

Weight approx.

Gewicht ca.

2.0 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

VRRM [V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

VRSM [V]

P2000A

50

P2000B

100

P2000D

200

P2000G

400

P2000J

600

P2000K

800

P2000M

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

TA = 50°C

IFAV

20 A 1)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

IFRM

100 A 1)

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

TA = 25°C

IFSM

500/550 A

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

TA = 25°C

i2t

1250 A2s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj

TS

-50...+175°C

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

1

http://www.diotec.com/

Type

Ø 1.2±0.05

Ø 8±0.1

类似零件编号 - P2000D

制造商	部件名	数据表	功能描述
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Infineon Technologies A...	P2000DL45X168HPSA1	893Kb / 12P	Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT Revision:3.0 2021-09-21

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