ECH8501

No. A1581-2/8

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB=(--)30V, IE=0A

(--)0.1

μA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB=(--)4V, IC=0A

(--)0.1

μA

DC Current Gain

hFE

VCE=(--)2V, IC=(--)500mA

200

560

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)500mA

(260)280

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(49)32

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA

(--100)75

(--170)110

mV

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA

(--)0.85

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10μA, IE=0A

(--30)40

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)30

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10μA, IC=0A

(--)6

V

Turn-On Time

ton

See specified Test Circuit.

(37)30

ns

Storage Time

tstg

(147)220

ns

Fall Time

tf

(14)12

ns

Note : The specifications shown above are for each individual transistor.

Switching Time Test Circuit

Ordering Information

Device

Package

Shipping

memo

ECH8501-TL-H

ECH8

3,000pcs./reel

Pb Free and Halogen Free

VR

RB

VCC=12V

VBE= --5V

+

+

50Ω

INPUT

Vout

RL

100μF

470μF

PW=20μs

IB1

D.C.≤1%

IB2

IC=20IB1= --20IB2=2.5A

(For PNP, the polarity is reversed.)