5LP01SS datasheet(2/6 Pages) ONSEMI

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5LP01SS

No.6622-2/6

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Drain to Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

ID= --1mA, VGS=0V

--50

Zero-Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS= --50V, VGS=0V

--1

μA

Gate to Source Leakage Current

IGSS

VGS=±8V, VDS=0V

±10

μA

Cutoff Voltage

VGS(off)

VDS= --10V, ID= --100μA

--0.4

--1.4

Forward Transfer Admittance

| yfs |

VDS= --10V, ID= --40mA

100

Static Drain to Source On-State Resistance

RDS(on)1

ID= --40mA, VGS= --4V

RDS(on)2

ID= --20mA, VGS= --2.5V

RDS(on)3

ID= --5mA, VGS= --1.5V

Input Capacitance

Ciss

VDS= --10V, f=1MHz

7.4

Output Capacitance

Coss

4.2

Reverse Transfer Capacitance

Crss

1.3

Turn-ON Delay Time

td(on)

See speciﬁed Test Circuit.

Rise Time

Turn-OFF Delay Time

td(off)

160

Fall Time

150

Total Gate Charge

VDS= --10V, VGS= --10V, ID= --70mA

1.40

Gate to Source Charge

Qgs

0.16

Gate to Drain “Miller” Charge

Qgd

0.23

Diode Forward Voltage

VSD

IS= --70mA, VGS=0V

--0.85

--1.2

Switching Time Test Circuit

5LP01SS

PW=10μs

D.C.≤1%

--4V

VIN

P.G

50Ω

ID= --40mA

RL=625Ω

VDD= --25V

VOUT

VIN

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--1.6

--1.8

--2.0

--0.07

--0.06

--0.05

--0.04

--0.03

--0.02

--0.01

ID -- VDS

VGS= --1.5V

--2.0V

--2.5V

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--0.14

--0.12

--0.10

--0.08

--0.06

--0.04

--0.02

--2.5

--3.0

--4.0

--3.5

ID -- VGS

VDS= --10V

IT00090

IT00091

Gate to Source Voltage, VGS -- V

Drain to Source Voltage, VDS -- V

5LP01SS 数据表(PDF) 2 Page - ON Semiconductor

5LP01SS 数据表(HTML) 2 Page - ON Semiconductor

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