P2000D datasheet(1/2 Pages) DIOTEC

部件名	P2000D

功能描述	Standard Recovery Rectifier Diodes

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制造商	DIOTEC [Diotec Semiconductor]

网页	http://www.diotec.com

标志

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P2000A ... P2000M

Standard Recovery Rectifier Diodes

Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug

IFAV = 20 A

VF

< 0.87 V

Tjmax = 150 °C

VRRM = 50...1000 V

IFSM = 500/550 A

trr

~ 1500 ns

Version 2015-12-21

Ø 8 x 7.5 (~P600)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Application

50/60 Hz Mains Rectification,

Power Supplies, Polarity Protection

Commercial grade 1)

Typische Anwendung

50/60 Hz Netzgleichrichtung,

Stromversorgungen, Verpolschutz

Standardausführung 1)

Features

Package smaller than industry

standard

Low forward voltage drop

Reduced Rth: Version P2000xTL

High forward surge current

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheit

Gehäuse kleiner als Industrie-

standard

Niedrige Fluss-Spannung

Reduzierter Rth: Version P2000xTL

Hohe Stoßstromfestigkeit

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1)

Mechanische Daten 1)

Taped in ammo pack

500

Gegurtet in Ammo-Pack

Weight approx.

1.7 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Maximum ratings 2)

Grenzwerte 2)

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

VRRM [V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

VRSM [V]

P2000A

50

P2000B

100

P2000D

200

P2000G

400

P2000J

600

P2000K

800

P2000M

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

TA = 50°C

IFAV

20 A 3)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

IFRM

100 A 3)

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

TA = 25°C

IFSM

500/550 A

Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms

TA = 25°C

i2t

1250 A2s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

t ≤ 1h

Tj

-50...+150°C

+200°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

TS

-50...+175°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2

Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben

3

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

1

http://www.diotec.com/

Pb

RoHS

Ø 1.2

±0.05

Ø 8

±0.1

类似零件编号 - P2000D

制造商	部件名	数据表	功能描述
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Infineon Technologies A...	P2000DL45X168	893Kb / 12P	Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT Revision:3.0 2021-09-21
Infineon Technologies A...	P2000DL45X168HPSA1	893Kb / 12P	Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT Revision:3.0 2021-09-21

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Diotec Semiconductor	1N4001	142Kb / 2P	Standard Recovery Rectifier Diodes
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