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3DD13003AS-R-T-B-A 数据表(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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3DD13003AS-R-T-B-A 数据表(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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2 / 5 page ![]() R 3DD13003AS 版本: 201407A 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到环境的热阻 TO-92-FJ Thermal Resistance Junction Ambient TO-92-FJ Rth(j-a) - 125 /W ℃ 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极 —发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES 700 V 集电极 —发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) VCEO 450 V 发射极 —基极直流电压 Emitter-Base Voltage VEBO 12 V 最大集电极直流电流 Collector Current(DC) IC 0.8 A 最大集电极脉冲电流 Collector Current(pulse) ICP 1.6 A 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92-FJ) PC 1 W 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit V(BR)CEO Ic=10mA,IB=0 450 500 - V V(BR)CBO Ic=1mA,IE=0 700 800 - V V(BR)EBO IE=1mA,Ic=0 12 15 - V ICBO VCB=700V, IE=0 - - 5 μA ICEO VCE=450V,IB=0 - - 10 mA IEBO VEB=10V, IC=0 - - 5 μA VCE=10V, IC=5mA 13 - - - VCE=10V, IC=130mA 22 - 33 - hFE VCE=10V, IC=500mA 8 12 - - VCE(sat) IC=0.35A, IB=50mA - 0.4 0.8 V VBE(sat) IC=0.6A, IB=50mA - 1.0 1.4 V tr - - 1.0 μS tf - - 0.7 μS ts VCC=125V IC=0.1A,IB1=-IB2=0.02A - - 5 μS fT VCE=10V, Ic=0.1A 4 - - MHz |
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