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3DD4612DM-R-M-N-C 数据表(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 3DD4612DM-R-M-N-C
功能描述  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  6 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD4612DM-R-M-N-C 数据表(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

  3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 1Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 2Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 3Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 4Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 5Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 3DD4612DM-R-M-N-C Datasheet HTML 6Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
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R
3DD4612DT/M
版本:
201510G
2/6
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
Parameter
Symbol
最小值
min
最大值
max
Unit
结到环境的热阻
Thermal Resistance Junction Ambient TO-92
Rth(j-a)
-
125
/W
结到管壳的热阻
Thermal Resistance Junction Case
TO-126
Rth(j-c)
-
6.25
/W
Parameter
Symbol
Value
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(VBE=0)
VCES
700
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
VCEO
450
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
IC
1.5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
ICP
3.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
450
500
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
700
800
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
9
14
-
V
ICBO
VCB=700V, IE=0
-
-
1
μA
ICEO
VCE=450V,IB=0
-
-
1
mA
IEBO
VEB=7V, IC=0
-
-
0.5
μA
VCE =10V, IC=100mA
10
22
40
-
hFE
VCE=5V, IC=1.5A
3.0
5.0
-
-
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
0.3
0.8
V
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
-
1.0
1.2
V
tf
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
-
-
0.7
μS
ts
IC=0.25A
1.5
-
4.0
μS
fT
VCE=10V, IC=0.1A
4
-
-
MHz



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