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3FT4CFMU 数据表(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 3FT4CFMU
功能描述  TRIACS
PDF  9 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3FT4CFMU 数据表(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3FT4C/F/M/U
版本：201510J
3/9
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测 试 条 件
Condition
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Unit
VDM=VDRM, Tj=25℃, gate open
-
-
10
μA
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking
Current
IDRM
VDM=VDRM, Tj=125℃, gate open
-
-
0.5
mA
峰值通态电压
Peak on-state voltage
VTM
ITM=5A
-
-
1.7
V
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
-
10
mA
MT1(-),MT2(+),G(-)
-
-
10
mA
MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
10
mA
门极触发电流
Gate trigger current
IGT
VDM=12V,
RL=100Ω
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
-
45
mA
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
-
1.5
V
MT1(-),MT2(+),G(-)
-
-
1.5
V
MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
1.5
V
门极触发电压
Gate trigger voltage
VGT
VDM=12V,
RL=100Ω
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
-
2.0
V
维持电流
Holding current
IH
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
15
mA
擎住电流
Latching current
IL
VDM=12V,IGT=0.1A
-
-
30
mA
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125℃, gate open
-
50
-
V/μs
门极开通 时间 Gate
controlled turn-on time
tgt
ITM=6A, VDM=VDRM(MAX),
IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS
-
2
-
μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
条
件
Condition
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Unit
full cycle
(TO-220C/TO-126/TO-252)
3.0 ℃/W
结到管壳的热阻
Thermal resistance
junctiontocase
Rth(j-c)
full cycle(TO-220HF)
5.5 ℃/W
电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION
项
目
Parameter
符
号
Symbol
条
件
Condition
数 值
Value
单位
Unit
绝缘电压
Isolation voltage
VISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF
2000
V



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