JCS4N65FE-R-F2-N-B datasheet(4/16 Pages) JSMC

4 / 16 page

JCS4N65E

版本：201704F

4/16

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=325V,ID=4.0A,RG=25Ω

（note 4，5）

上升时间 Turn-On rise time

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

下降时间 Turn-Off Fall time

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =520V ,

ID=4.0A

VGS =10V

（note 4，5）

11.9

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

3.0

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

5.2

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=4.0A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=4.0A

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

288

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

1.33

μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大 Max

单位

Unit

JCS4N65FE

(TO-220MF-K1/K2)

JCS4N65RE/VE/B

E/ME/MFE

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

3.12

0.71

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

46.52

72.27

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=46mH, IAS=4.0A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结

温 TJ=25℃

3：ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2 ： L=46mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3 ： ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS4N65FE-R-F2-N-B 数据表(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS4N65FE-R-F2-N-B 数据表(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

数据表下载

链接网址

JCS4N65FE-R-F2-N-B 数据表(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS4N65FE-R-F2-N-B 数据表(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

数据表 下载

链接网址

数据表下载