JCS4N65FE-R-F2-N-B datasheet(3/13 Pages) JSMC

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JCS4N65E

版本：201607C

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

Parameter

符

号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

关态特性 Off

–Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Voltage

BVDSS

ID=250μA, VGS=0V

650

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV

DSS/Δ

ID=250μA, referenced to

25℃

0.65

V/℃

零栅压下漏极漏电流

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=650V,VGS=0V,

TC=25℃

μA

VDS=520V,

TC=125℃

100

μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

IGSSF

VDS=0V, VGS =30V

100

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGSSR

VDS=0V, VGS =-30V

-100

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS , ID=250μA

2.0

4.0

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(ON)

VGS =10V , ID=2.0A

1.9

2.5

Ω

正向跨导

Forward Transconductance

gfs

VDS = 40V , ID=2.0A（note

4）

1.36

动态特性 Dynamic Characteristics

输入电容

Input capacitance

Ciss

VDS=25V,

VGS =0V,

f=1.0MHZ

540

890

输出电容

Output capacitance

Coss

100

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Crss

2.2

JCS4N65FE-R-F2-N-B 数据表(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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