2SC3356 数据表, PDF - Datasheet Search Engine

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捷径	2SC3356(99) 被推存结果.
如同	2SC3356(24) 2SC3356A(1) 2SC3356B(1) 2SC3356D(1) 2SC3356F(1) 2SC3356K(1) 2SC3356S(1) 2SC3356W(2)
开始	2SC3356(56) 2SC3356-(31) 2SC3356A(2) 2SC3356G(1) 2SC3356K(3) 2SC3356L(5) 2SC3356Q(1) 2SC3356R(1) 2SC3356S*(4)
结尾	No Data
包括	2SC3356(14) 2SC3356L(3) 2SC3356R(4) 2SC3356W(3)

制造商

2SC3356 数据表, PDF

搜索部分号码 : 如同&开始 "2SC3356" - 的资料共 : 85 ( 1/5 Page)

制造商	部件名	数据表	功能描述
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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的简要描述 2SC3356

“ 2SC3356”是通常用于NPN双极连接晶体管（BJT）的零件名称。这是一个小信号晶体管，通常用于低功率扩增和开关应用。

以下是2SC3356晶体管的一些一般规格：

最大收集器基压（VCBO）：通常约25伏
最大收集器发射器电压（VCEO）：通常约20伏
最大发射器碱电压（VEBO）：通常约4伏
最大收集器电流（IC）：通常约50 mA
最大功率耗散（PD）：通常约150兆瓦
包装类型：通常是SOT-23（一个小的表面安装晶体管轮廓包）
2SC3356晶体管通常用于音频放大器，开关电路和低功率通用电路等应用中。

相当于 2SC3356

2SC3356晶体管的合适替换是2SC3355。 2SC3355是一种互补的NPN晶体管，与2SC3356共享相似的电气特性和包装类型。

这是2SC3356和2SC3355晶体管之间的一些关键相似之处：

晶体管类型：2SC3356和2SC3355晶体管都是NPN双极连接晶体管（BJTS）。

电压和电流等级：2SC3356和2SC33355晶体管的电压和电流等级可比。两个晶体管具有相似的最大收集器电流（IC）和最大收集器 - 发射极电压（VCEO）等级。

软件包类型：2SC3356和2SC3355晶体管通常在同一包装类型中可用，例如TO-92或SOT-23。这些包装很常见，适用于通用应用。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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