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捷径	BC337(236) 被推存结果.
如同	HBC337(1) GBC337(2) SBC337(4) BC337(46) TBC337(1) BC337A(2) BC337G(4) BC337M(1)
开始	BC337(165) BC337-(93) BC337.(1) BC3371(11) BC3372(18) BC3374(8) BC337G(9) BC337L(9) BC337R(6) BC337Z(3)
结尾	BC337(9) CBC337(1)
包括	BC337(2) BC337_(1)

制造商

BC337 数据表, PDF

搜索部分号码 : 如同&开始 "BC337" - 的资料共 : 225 ( 1/12 Page)

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	BC337	288Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor September 2015 Rev. 1.5
NXP Semiconductors	BC337	47Kb/8P	NPN general purpose transistor 1999 Apr 15
Semtech Corporation	BC337	343Kb/5P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications???
STMicroelectronics	BC337	40Kb/4P	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS Jun-2002
NXP Semiconductors	BC337	245Kb/19P	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Rev. 06-17 November 2009
General Semiconductor	BC337	224Kb/5P	Small Signal Transistors (NPN)
Taiwan Semiconductor Co...	BC337	217Kb/4P	NPN Transistor
NXP Semiconductors	BC337	245Kb/19P	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Rev. 06-17 November 2009
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC337	203Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC337	70Kb/5P	Amplifier Transistors NPN SILICON March, 2007 ??Rev. 6
	BC337	82Kb/6P	Amplifier Transistors July, 2004 ??Rev. 4
	BC337	65Kb/5P	Amplifier Transistors NPN Silicon September, 2005 ??Rev. 5
Unisonic Technologies	BC337	47Kb/2P	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Diotec Semiconductor	BC337	105Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Weitron Technology	BC337	256Kb/4P	NPN General Purpose Transistor
Dc Components	BC337	215Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	BC337	167Kb/3P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Diotec Semiconductor	BC337	140Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Motorola, Inc	BC337	163Kb/4P	Amplifier Transistor
Micro Electronics	BC337	140Kb/2P	NPN SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

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的简要描述 BC337

BC337是一种广泛使用的通用NPN双相连接晶体管（BJT）。以下是有关BC337晶体管的一些关键细节：

晶体管类型：BC337是NPN（负阳性阴性）晶体管。它是最常见的晶体管类型之一。

最高评分：

收集器碱电压：通常约50V。
收集器发射器电压：通常约45V。
发射器碱电压：通常约5V。
收集器电流（连续）：通常约为800 mA。
总功率耗散：通常约为625兆瓦。
增益（HFE）：BC337晶体管的电流增益（也称为DC电流增益或β（HFE））通常在100至630范围内。这表明晶体管的扩增能力。

软件包类型：BC337晶体管通常在各种软件包类型中可用，包括诸如TO-92，SOT-23和SOT-223之类的整孔软件包。

应用：BC337晶体管可用于广泛的电子电路和应用中，包括放大器，开关，信号处理，电压调节和通用切换。

相当于 BC337

BC337是一种常用的NPN双相连接晶体管（BJT），通常用于低功率放大器和开关电路。它的最大收集器电流额定值为800mA，最大收集器发射器电压为50V。

以下是一些替代NPN BJT，可以用作BC337的替代：

2N3904：这是一种通用NPN BJT，最大收集器电流额定值为200mA，最大收集器发射器电压为40V。它具有与BC337相似的电流和电压额定值，使其成为许多低功率应用中的合适替代品。 2N3904通常用于开关和放大器电路。

PN2222A：这是一种通用NPN BJT，最大收集器电流额定值为600mA，最大收集器发射机电压为40V。它的电流评级高于BC337，这使其成为某些高功率应用程序中的合适替代品。 PN2222A通常用于开关和放大器电路。

MPSA18：这是一个高增益NPN BJT，最大收集器电流额定值为200mA，最大收集器发射机电压为45V。它具有与BC337相似的电流和电压额定值，但增益更高，使其在某些放大器电路中成为合适的替换。

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