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HY27SF161G2M-VIP 数据表 (PDF) - Hynix Semiconductor
HY27SF161G2M-VIP Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
部件名 HY27SF161G2M-VIP
下载  HY27SF161G2M-VIP 下载
文件大小   476.81 Kbytes
页   48 Pages
制造商  HYNIX [Hynix Semiconductor]
网页  http://www.skhynix.com/kor/main.do
标志 HYNIX - Hynix Semiconductor
功能描述 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

HY27SF161G2M-VIP Datasheet (PDF)

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HY27SF161G2M-VIP Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

部件名 HY27SF161G2M-VIP
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文件大小   476.81 Kbytes
页   48 Pages
制造商  HYNIX [Hynix Semiconductor]
网页  http://www.skhynix.com/kor/main.do
标志 HYNIX - Hynix Semiconductor
功能描述 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

HY27SF161G2M-VIP 数据表 (HTML) - Hynix Semiconductor


HY27SF161G2M-VIP 产品详情

SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series isa 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected Flash cells.



 




类似零件编号 - HY27SF161G2M-VIP

制造商部件名数据表功能描述
logo
Hynix Semiconductor		 HY27SF161G2A HYNIX-HY27SF161G2A Datasheet
394Kb / 46P		 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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类似说明 - HY27SF161G2M-VIP

制造商部件名数据表功能描述
logo
Hynix Semiconductor		 HY27UA081G1M HYNIX-HY27UA081G1M Datasheet
729Kb / 43P		 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
logo
OKI electronic componet...		 ML54051 OKI-ML54051 Datasheet
283Kb / 37P		 NAND Flash Memory Controller
ML54053 OKI-ML54053 Datasheet
222Kb / 26P		 NAND Flash Memory Controller
logo
Hynix Semiconductor		 HY27SF081G2A HYNIX-HY27SF081G2A Datasheet
394Kb / 46P		 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27UF081G2A HYNIX-HY27UF081G2A Datasheet
390Kb / 46P		 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M HYNIX-HY27US081G1M Datasheet
318Kb / 39P		 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
logo
Elite Semiconductor Mem...		 F50L512M41A ESMT-F50L512M41A Datasheet
700Kb / 36P		 SPI-NAND Flash Memory
logo
Macronix International		 MX30LF1G08AA-XKI MCNIX-MX30LF1G08AA-XKI Datasheet
766Kb / 48P		 1G-bit NAND Flash Memory
MX30LF1208AA-TI MCNIX-MX30LF1208AA-TI Datasheet
762Kb / 48P		 512M-bit NAND Flash Memory
logo
Winbond		 W29N01HV WINBOND-W29N01HV Datasheet
1Mb / 54P		 1G-BIT 3.3V NAND FLASH MEMORY
Revision C
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关于 Hynix Semiconductor

Hynix Semiconductor是一家韩国公司，专门从事内存半导体的设计和制造。
该公司成立于1983年，总部位于韩国伊歇。
Hynix是世界上领先的DRAM（动态随机访问存储器）和NAND闪存的生产商之一，它们用于各种应用程序，例如计算机系统，移动设备和固态驱动器。
Hynix以其在内存半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高质量和高性能存储产品的能力。
该公司在世界各地拥有运营和设施，并与客户紧密合作，提供满足其特定需求和需求的定制内存解决方案。
除了其内存产品外，Hynix还为汽车和数据中心市场提供了一系列产品和解决方案，例如System-A-A-Chip（SOC）产品（SOC）产品和高带宽内存（HBM）产品。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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