VF40120C 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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VF40120C 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

VF40120C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VF40120C

下载	VF40120C 下载

文件大小	127.21 Kbytes

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

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功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VF40120C Datasheet (PDF)

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部件名	VF40120C

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VF40120C 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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VF40120C 产品详情

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,
per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and
reverse battery protection.

MECHANICAL DATA
Case: ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: as marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

类似零件编号 - VF40120C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VF40120C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF40120C	78Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	VF40120C	158Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 16-Aug-13
	VF40120C	148Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 16-Aug-13
DAESAN ELECTRONIC CORP.	VF40120C	538Kb / 2P	Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier

类似说明 - VF40120C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V40120C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VB30120S-M3	90Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 14-May-13
	V60DM120C-M3	102Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 22-Apr-15
	V60M120C-M3	129Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 10-May-16

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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