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CGY2013G 数据表 (PDF) - NXP Semiconductors

CGY2013G Datasheet PDF - NXP Semiconductors
部件名 CGY2013G
下载  CGY2013G 下载
文件大小   86.19 Kbytes
  12 Pages
制造商  PHILIPS [NXP Semiconductors]
网页  http://www.nxp.com
标志 PHILIPS - NXP Semiconductors
功能描述 GSM 4 W power amplifier

CGY2013G Datasheet (PDF)

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CGY2013G Datasheet PDF - NXP Semiconductors

部件名 CGY2013G
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文件大小   86.19 Kbytes
  12 Pages
制造商  PHILIPS [NXP Semiconductors]
网页  http://www.nxp.com
标志 PHILIPS - NXP Semiconductors
功能描述 GSM 4 W power amplifier

CGY2013G 数据表 (HTML) - NXP Semiconductors


CGY2013G 产品详情

GENERAL DESCRIPTION
The CGY2013G is a GSM class 4 GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) power amplifier specifically designed to operate at 3.6 V battery supply.
The PA requires only a 30 dB harmonic low-pass filter to comply with the GSM transmit spurious specification. It can be switched off and its power controlled by monitoring the actual drain voltage applied to the amplifier stages.

FEATURES
• Power Amplifier (PA) overall efficiency 52%
• 35.5 dB gain
• 0 dBm input power
• Gain control range >55 dB
• Low output noise floor of PA < −130 dBm/Hz in GSM RX band
• Wide operating temperature range −20 to +85 °C
• LQFP 48 pin package
• Compatible with power ramping controller PCF5077
• Compatible with GSM RF transceiver SA1620.

APPLICATIONS
• 880 to 915 MHz hand-held transceivers for E-GSM applications
• 900 MHz Time Division Multiple Access (TDMA) systems.




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关于 NXP Semiconductors


NXP半导体是一家公开交易的跨国公司,设计,开发和制造各种半导体和集成电路,用于各种应用,包括汽车,工业,通信和消费市场。
该公司成立于2006年,总部位于荷兰的埃因霍温。
NXP提供了广泛的产品组合,包括微控制器,微处理器,安全身份验证IC,电源管理ICS,RF和微波炉组件以及传感器解决方案等。
该公司的产品旨在具有节能,安全和可靠,并用于各种应用中,包括汽车系统,工业自动化和控制,智能家居和建筑物以及连接的设备。
NXP致力于创新和客户满意度,并致力于为客户提供最佳的半导体解决方案,以满足他们的需求。

*此信息仅供一般参考,对于因上述信息造成的任何损失或损害,我们概不负责。




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