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CGY2014 数据表 (PDF) - NXP Semiconductors
CGY2014 Datasheet PDF - NXP Semiconductors
部件名 CGY2014
下载  CGY2014 下载
文件大小   73.96 Kbytes
页   12 Pages
制造商  PHILIPS [NXP Semiconductors]
网页  http://www.nxp.com
标志 PHILIPS - NXP Semiconductors
功能描述 GSM/DCS/PCS power amplifier

CGY2014 Datasheet (PDF)

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CGY2014 Datasheet PDF - NXP Semiconductors

部件名 CGY2014
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文件大小   73.96 Kbytes
页   12 Pages
制造商  PHILIPS [NXP Semiconductors]
网页  http://www.nxp.com
标志 PHILIPS - NXP Semiconductors
功能描述 GSM/DCS/PCS power amplifier

CGY2014 数据表 (HTML) - NXP Semiconductors


CGY2014 产品详情

GENERAL DESCRIPTION
The CGY2014ATW is a dual-band GSM/DCS/PCS GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) power amplifier. The circuit is specifically designed to operate at 3.6 V battery supply voltage.

FEATURES
• Operates at 3.6 V battery supply voltage
• Power Amplifier (PA) output power: 35 dBm in GSM band and 32.5 dBm in DCS/PCS band
• Input power: 5 dBm in GSM band and DCS/PCS band
• Wide operating temperature range from Tamb = −20 to +85 °C
• HTSSOP20 exposed die pad package.

APPLICATIONS
• Dual-band systems: Low Band (LB) from 880 to 915 MHz hand-held transceivers for E-GSM and High Band (HB) from 1710 to 1910 MHz for DCS/PCS applications.




类似零件编号 - CGY2014

制造商部件名数据表功能描述
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NXP Semiconductors		 CGY2010G PHILIPS-CGY2010G Datasheet
79Kb / 12P		 GSM 4 W power amplifiers
1996 Jul 08
CGY2011G PHILIPS-CGY2011G Datasheet
79Kb / 12P		 GSM 4 W power amplifiers
1996 Jul 08
CGY2013G PHILIPS-CGY2013G Datasheet
86Kb / 12P		 GSM 4 W power amplifier
1998 Jan 23
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类似说明 - CGY2014

制造商部件名数据表功能描述
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118Kb / 24P		 Low power GSM/DCS/PCS multi-band transceiver
2000 Feb 17
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STMicroelectronics		 STB7003 STMICROELECTRONICS-STB7003 Datasheet
221Kb / 9P		 TRI-BAND GSM/DCS/PCS LNA
22-Jan-2002
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RF Micro Devices		 RF3108 RFMD-RF3108 Datasheet
195Kb / 10P		 TRIPLE-BAND GSM/DCS/PCS POWER AMP MODULE
RF3110 RFMD-RF3110 Datasheet
198Kb / 12P		 TRIPLE-BAND GSM/DCS/PCS POWER AMP MODULE
RF3108 RFMD-RF3108_06 Datasheet
220Kb / 10P		 TRIPLE-BAND GSM/DCS/PCS POWER AMP MODULE
RF3145 RFMD-RF3145 Datasheet
142Kb / 18P		 QUAD-BAND GSM/EDGE/GSM850/DCS/PCS POWER AMPLIFIER MODULE
RF3158 RFMD-RF3158 Datasheet
610Kb / 26P		 QUAD-BAND GSM/EDGE/GSM850/EGSM900 /DCS/PCS POWER AMPLIFIER MODULE
RF3159 RFMD-RF3159 Datasheet
567Kb / 26P		 QUAD-BAND GSM/EDGE/GSM850/EGSM900 /DCS/PCS/POWER AMPLIFIER MODULE
RF3145 RFMD-RF3145_1 Datasheet
310Kb / 18P		 QUAD-BAND GSM/EDGE/GSM850/DCS/PCS POWER AMPLIFIER MODULE
RF3108 RFMD-RF3108_1 Datasheet
367Kb / 12P		 TRIPLE-BAND GSM/DCS/PCS POWER AMP MODULE
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关于 NXP Semiconductors

NXP半导体是一家公开交易的跨国公司，设计，开发和制造各种半导体和集成电路，用于各种应用，包括汽车，工业，通信和消费市场。
该公司成立于2006年，总部位于荷兰的埃因霍温。
NXP提供了广泛的产品组合，包括微控制器，微处理器，安全身份验证IC，电源管理ICS，RF和微波炉组件以及传感器解决方案等。
该公司的产品旨在具有节能，安全和可靠，并用于各种应用中，包括汽车系统，工业自动化和控制，智能家居和建筑物以及连接的设备。
NXP致力于创新和客户满意度，并致力于为客户提供最佳的半导体解决方案，以满足他们的需求。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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