STGD18N40LZT4 数据表(PDF) - STMicroelectronics

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STGD18N40LZT4 数据表 (PDF) - STMicroelectronics

STGD18N40LZT4 Datasheet PDF - STMicroelectronics


部件名	STGD18N40LZT4

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文件大小	632.91 Kbytes

页	18 Pages

制造商	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

网页	http://www.st.com

标志

功能描述	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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部件名	STGD18N40LZT4

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制造商	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

网页	http://www.st.com

标志

功能描述	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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STGD18N40LZT4 产品详情

Description
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

Features
■ AEC Q101 compliant
■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH
■ ESD gate-emitter protection
■ Gate-collector high voltage clamping
■ Logic level gate drive
■ Low saturation voltage
■ High pulsed current capability
■ Gate and gate-emitter resistor

Application
■ Pencil coil electronic ignition driver

类似零件编号 - STGD18N40LZT4

制造商	部件名	数据表	功能描述
STMicroelectronics	STGD18N40LZT4	636Kb / 18P	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 07-May-2008
	STGD18N40LZT4	896Kb / 19P	EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 18-May-2009
	STGD18N40LZT4	466Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 20-Jan-2021

类似说明 - STGD18N40LZT4

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	MGP15N40CL	100Kb / 8P	Internally Clamped N-Channel IGBT April, 2000 ??Rev. 1
STMicroelectronics	STGB18N40LZ_0805	636Kb / 18P	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 07-May-2008
	STGB18N40LZ	896Kb / 19P	EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 18-May-2009
	STGP35N35LZ	720Kb / 18P	Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ 28-May-2013
	STGD19N40LZ	1Mb / 17P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 05-Oct-2016
	STGB20N45LZAG	536Kb / 20P	Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ 21-Feb-2018
	STGB25N40LZAG	551Kb / 20P	Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ 13-Feb-2018
	STGB10NB37LZ	751Kb / 15P	10 A - 410 V internally clamped IGBT 06-Nov-2009
	STGB18N40LZT4	575Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 11-Jan-2021
	STGD18N40LZT4	466Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 20-Jan-2021

关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在100多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

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